引線框架及其制造

  提供一種引線框架及其制造方法。以提高可焊性，焊線連接強度，半導體封裝中與樹脂的粘接力和對Pd鍍層的保護作用。

  用按本發明的引線框架制造方法能實現上述目的，方法包括金屬襯底上用鎳(Ni)或Ni合金形成保護層；保護層上用鈀(Pd)或Pd合金形成中間層；中間層表面上用Pd和(Au)交替電鍍至少一次，形成含Pd和Au顆粒的Z外層。

  Z好是交替電鍍形成Z外層，無論Pd或Au均能首先鍍在電間層上。

  Z外鍍層的形成中，用脈沖電流在中間層的核心位置上首先大致地鍍Pd，之后再聚積金以填充聚積的Pd顆粒之間的空隙。由于Au的淀積勢能小于Pd的淀積勢能。因此，在Pd顆粒之間容易聚積Au顆粒。

  按本發明的另一方案，提供一種用于半導體封裝的引線框架，包括金屬襯底上用Ni或Ni合金形成的保護層；保護層上用Pd形成的中間層；Pd中間層上用Pd和Au的形成的Z外層。

  另一實施例中，本發明提供用于半導體封裝的引線框架，包括金屬襯底上用Ni或Ni合金形成的保護層；保護層上用鈀(Pd)和金(Au)形成的Z外層。

  Pd或Pd合金的中間層和Au或Au合金的電鍍區的形成中，加高脈沖電流，用濺射或氣相淀積法。

  通過結合附圖對Z佳實施例的詳細說明，便能更好理解本發明的上述發明目的和優點。

  普通引線框架的平面圖；圖2是半導體封裝的部分分解透視圖；圖3和4是常規引線框架的實例的截面圖；圖5是按本發明的引線框架的實施例的截面圖；圖6是按本發明的引線框架的另一實施例的截面圖；圖7是按本發明的引線框架的另一實施例的截面圖；圖8是圖7所示引線框架的局部放大的透視圖；圖9A至9C是說明按本發明的引線框架制造的截面圖；圖10是表示按本發明的引線框架的與樹脂的粘接力和對比例的與樹脂粘接力的曲線圖；圖11是表示按本發明的引線框架的可焊性和對比例的引線框架的可焊性曲線圖。

  所示的用于半導體封裝的引線框架實施例，引線框架包括用銅(Cu)，銅合金或鐵-鎳(Fe-Ni)合金構成的金屬襯底31，金屬襯底31上用Ni或Ni合金形成的保護層32。保護層32上用鈀(Pd)或Pd合金形成的中間層33和在中間層33上形成的包含Pd和Au顆粒的Z外層34。

  出按本發明的引線框架的另一實施例。圖6中的引線框架40包括依次疊置于金屬襯底上41上用Ni或Ni合金形成的保護層42和Z外層43。Z外層43中存在如圖5所示引線框架中存在的Pd和Au顆粒。