引線框架50有在金屬應用

引線框架50有在金屬襯底51上用Ni或Ni合金形成的保護層52。保護層52上用Pd或Pd合金形成的中間層53；中間層53上用Au或Au合金局部形成的厚度薄的電鍍層54。從圖8中能看到中間層53上的電鍍區54的位置。這里，電鍍區的厚度為12個分子的高度。因此，如圖8所示，電鍍區54使中間層53局部露出或占據。電鍍區54用的Au合金Z好是Au-Pd或Au-Ag合金。

  的引線框架制造的一個實施例。首先，制備用Cu、Cu合金或Fe合金制成的金屬襯底31，如圖9A所示。在金屬襯底31用Ni或Ni合金形成保護層32。之后，如圖9B所示，在保護層32上用Pd或Pu合金形成中間層33。保護層32和中間層33可用加脈沖電流電鍍制成、或用濺射或真空淀積制成。之后，在中間層33上同時存在Pd和Au顆粒處形成Z外層34，制成引線框架30(見圖9C)。用加脈沖電流電鍍形成Z外層34。換句話說，調節電流密度和電鍍時間，只在保護層32上的核心位置聚積鈀在中間層33表面上生成鈀點。

  接著Au聚積，以填充在中間層33上淀積的Pd顆粒之間的空隙中。由于Au淀積勢能低于Pd淀積勢能，因而在Pd顆粒之間容易電鍍Au。完成鍍Au之后，再聚積的Pd再填充Au和Pd之間可能存在的孔位置或微小裂縫，造成引線框架不穩定，在中間層33上生成Z外層34。

  如圖8所示，電鍍Au或Au合金而在中間層53上形成分散的“電鍍區”54，以此來代替在中間層上形成Z外“層”。

  如上所述，用電鍍法交替聚積Pd和Au，能形成按本發明的引線框架的Z外層34。形成Z外層的電鍍過程中加脈沖電壓。脈沖電流的矩形波可以是由預定間隔隔開的一串正脈沖。電流波形也可以在正負脈沖之間交替。也可以是正負脈沖之間的預定間隔。而且，電流波形可以在正負脈沖之間交替，其中，用小脈沖串來調制每個正負脈沖。

  而且，為改善用Pd或Pd合金制成的中間層53的均勻性。用加高脈沖制成圖8所示的引線框架50。而且，用加高脈沖，濺射或淀積法也能在中間層53表面上用Au或Au合金形成電鍍區54。

  用按本發明的引線框架的半導體封裝制造中，用中間層33能防止從用Ni或Ni合金制成的保護層32中擴散出的Ni，在熱處理過程中向引線框架的Z外層34擴散。因此能避免引線框架被氧化或腐蝕。

  Z外層34在中間層33上或在具有包含Pd和Au顆粒的電鍍區54和有良好焊線連接特性的中間層53的表面上。Au的存在還使經氧化的Pd占據的Z外層的面積減小。由此能消除常有的缺陷。此外，由于Pd氧化出現在焊線連接之后，因此使Z外層34與模塑樹脂之間的粘接力提高。用Pd和Au交替電鍍也使中間層33的保護功能提高，消除了由氫氣泡造成的穿孔。與只含Au的Z外層相比，Z外層34由Pd和Au的相互作用提高了可焊性和焊線的連接性能。而且，由于Au或Au合金能形成盡可能的薄。因此，而減少Au的消耗量，降低了制造成本。

  通過以下實例能更詳細的完整地了解按本發明的引線框架的作用。